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新聞動態(tài)

氨基保護基—磺?;?| 三氟甲磺酸介導的磺?;咝摮捌溲苌磻?yīng)
分類 :新聞
發(fā)布時間 :2025/06/20
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胺類化合物是一類非常重要的有機化合物,在醫(yī)藥、農(nóng)藥、染料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于氨基具有較高的親核性和堿性,為了提高其穩(wěn)定性,通常需要用合適的保護基進行保護以確保目標反應(yīng)的正常進行。


需要注意的是,不同保護基的耐受條件是不同的,在所有氨基保護基中,磺?;▓D1為常見的幾種磺酰保護基)是最穩(wěn)定的保護基之一,其引入方法一般是在堿性條件下,由胺與相應(yīng)的磺酰氯在惰性溶劑中反應(yīng)制得,具有以下幾個優(yōu)點:

·能夠兼容多種反應(yīng)條件,在強堿,氫化等多種條件下的處理不受影響,并且引入磺?;蟮漠a(chǎn)物很容易形成晶體,便于獲取和純化。

·磺酰基的引入會使N-H鍵更加活躍,從而很容易發(fā)生N-烷基化反應(yīng)以及過渡金屬催化的C-N形成。


圖1

圖1 常見的磺酰保護基


同樣地,磺?;^高的穩(wěn)定性也使其脫保護條件變得較為苛刻。酸性水解通常要在劇烈條件下進行,如濃硫酸加熱脫除;而比較溫和的方法是通過還原裂解的方式,如Na/NH3(l)、Mg/MeOH等體系。然而此方法會對含有醛基、酮羰基、硝基等易被還原基團的底物存在限制,易引起副反應(yīng)的發(fā)生。


本文介紹了一種基于化學計量的三氟甲磺酸有效脫除芳胺磺?;Wo的方法以及相關(guān)的應(yīng)用。



優(yōu)異的底物普適性



在室溫或加熱的條件下,三氟甲磺酸可以高效脫除未取代及N-取代的芳香族/雜芳磺酰胺底物的保護基,以高收率得到相應(yīng)的芳香胺。盡管反應(yīng)正在酸性條件下進行,但含有氰基,酰亞胺,酯基以及吡啶,喹啉等堿性底物均能耐受。該方法適用于對甲苯磺?;═s)、硝基苯磺?;∟s)、甲基磺?;∕s)以及三異丙基磺酰基(TPS)等保護基團(圖2)。


圖2

圖2 三氟甲磺酸促進的磺酰胺脫保護反應(yīng)


中性和缺電子的底物

磺酰胺中的N-S鍵容易斷裂,實現(xiàn)磺酰基的高效脫除(圖3);


圖3

圖3 缺電子底物的脫保護反應(yīng)


富電子的底物

發(fā)生Fries重排(分子內(nèi)磺酰基遷移),生成一系列砜類化合物(圖4)。


圖4

圖4 富電子底物的脫保護反應(yīng)



選擇性脫除Ts保護基



通常情況下Ts保護基的脫除難度較高。然而,Orentas團隊在實驗中發(fā)現(xiàn),在TfOH存在下,可以選擇性的脫除Ts,且不影響其他磺酰保護基(圖5)。


芳香胺Ts保護基優(yōu)先脫除

不同位置的Ts保護基穩(wěn)定性存在差異,其中芳香胺上的Ts保護基更容易脫去;


優(yōu)異的選擇性

Ts與Ns、Ms等其他磺酰保護基共存時,仍可以選擇性脫除Ts保護基,即便是很不穩(wěn)定的吡啶-2-磺酰基與Ts共存時,仍優(yōu)先脫除Ts保護基。


圖5

圖5 選擇性脫除Ts保護基



其他應(yīng)用



分子間磺?;D(zhuǎn)移

在富電子芳香化合物存在下,缺電子磺酰胺底物可以在脫保護的同時發(fā)生F-C磺酰化反應(yīng)(這里指分子間的磺?;D(zhuǎn)移),生成砜類化合物(圖6)。


圖6

圖6 磺?;姆肿娱g遷移


一鍋法環(huán)化

共軛磺酰胺底物可以在脫保護的同時發(fā)生[2+2+2]環(huán)加成反應(yīng),如炔酰胺類化合物與乙腈在TfOH存在下,發(fā)生腈的環(huán)化反應(yīng),一鍋法得到氨基嘧啶類物質(zhì)(圖7)。


圖7

圖7 磺酰胺參與的環(huán)化反應(yīng)


本文介紹了有關(guān)磺酰基的脫除新方法及拓展應(yīng)用,希望能對研發(fā)人員提供幫助和思路構(gòu)建。



參考文獻:

[1] Orentas, E.; Javorskis, T. Chemoselective Deprotection of Sulfonamides Under Acidic Conditions: Scope, Sulfonyl Group Migration, and Synthetic Applications[J]. J. Org. Chem., 2017, 82, 13423-13439.

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